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SI8902AEDB-T2-E1

SI8902AEDB-T2-E1
Mfr. #:
SI8902AEDB-T2-E1
제조사:
Vishay / Siliconix
설명:
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI8902AEDB-T2-E1 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI8902AEDB-T2-E1 DatasheetSI8902AEDB-T2-E1 Datasheet (P4-P6)SI8902AEDB-T2-E1 Datasheet (P7-P9)SI8902AEDB-T2-E1 Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
추가 정보:
SI8902AEDB-T2-E1 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사:
비쉐이
제품 카테고리:
MOSFET
RoHS:
Y
기술:
시
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
MicroFoot-6
채널 수:
1 Channel
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
24 V
Id - 연속 드레인 전류:
11 A
Rds On - 드레인 소스 저항:
28 mOhms
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
400 mV
Vgs - 게이트 소스 전압:
12 V
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
Pd - 전력 손실:
5.7 W
구성:
하나의
채널 모드:
상승
포장:
릴
트랜지스터 유형:
1 N-Channel
상표:
비쉐이 / 실리콘닉스
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
15 S
가을 시간:
12 us
상품 유형:
MOSFET
상승 시간:
3.5 us
공장 팩 수량:
3000
하위 카테고리:
MOSFET
일반적인 끄기 지연 시간:
25 us
일반적인 켜기 지연 시간:
1.5 us
Tags
SI8902, SI890, SI89, SI8
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Common drain N-chan MFOOT 2.4X 1.6 24V 14mohm @4.5V ESD
***ical
Trans MOSFET N-CH 6-Pin Micro Foot
***ure Electronics
24V 5.9A 0.028 Ohm N-ch MICRO FOOT® 2.4 x 1.6
***i-Key
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
***et
COMMON DRAIN N-CHAN MFOOT 2.4X 1.6 24V 14MOHM
Integrated MOSFETs with Common Drain
Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2 and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI8902AEDB-T2-E1
DISTI # SI8902AEDB-T2-E1-ND		Vishay SiliconixN-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
RoHS: Not compliant
Min Qty: 6000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 6000:$0.3005
SI8902AEDB-T2-E1
DISTI # SI8902AEDB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 24V 11A 6-Pin MICRO FOOT T/R - Tape and Reel (Alt: SI8902AEDB-T2-E1)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 6000
Container: Reel		Americas - 0
  • 60000:$0.2709
  • 30000:$0.2789
  • 18000:$0.2869
  • 12000:$0.2989
  • 6000:$0.3079
SI8902AEDB-T2-E1
DISTI # 78-SI8902AEDB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
RoHS: Compliant		6000
  • 1:$0.8400
  • 10:$0.6760
  • 100:$0.5130
  • 500:$0.4240
  • 1000:$0.3390
  • 3000:$0.3070
  • 6000:$0.2860
  • 9000:$0.2750
  • 24000:$0.2650
영상 부분 # 설명
SI8902AEDB-T2-E1

Mfr.#: SI8902AEDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8902AEDB-T2-E1

 MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
SI8902AEDB-T2-E1

Mfr.#: SI8902AEDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8902AEDB-T2-E1-VISHAY

 N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
유효성
재고:
Available
주문 시:
1989
수량 입력:
SI8902AEDB-T2-E1의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$0.84
US$0.84
10
US$0.68
US$6.76
100
US$0.51
US$51.30
500
US$0.42
US$212.00
1000
US$0.34
US$339.00
2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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