NTJD4105CT1G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-363-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V, 8 V

Id - 연속 드레인 전류:

630 mA, - 775 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

375 mOhms, 900 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

600 mV, 450 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V, - 1.8 V

Qg - 게이트 차지:

1.3 nC, 2.2 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

0.55 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.9 mm

길이:

2 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

NTJD4105C

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

유형:

MOSFET

너비:

1.25 mm

상표:

온세미컨덕터

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

2 S, 2 S

가을 시간:

506 ns, 36 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

227 ns, 23 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

786 ns, 50 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

83 ns, 13 ns

단위 무게:

0.000265 oz

Tags

NTJD4105CT1G, NTJD4105CT1, NTJD4105, NTJD410, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ