NE68033-T1B-A

제품 속성

속성 값

제조사:

셀

제품 카테고리:

RF 양극성 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

양극성

기술:

시

트랜지스터 극성:

NPN

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

10 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

1.5 V

지속적인 수집가 전류:

0.035 A

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

구성:

하나의

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-23-3

포장:

릴

DC 전류 이득 hFE 최대:

250

키:

1.1 mm

길이:

2.9 mm

동작 주파수:

2 GHz

유형:

RF 바이폴라 소신호

너비:

1.5 mm

상표:

셀

이득 대역폭 곱 fT:

10 GHz

Pd - 전력 손실:

200 mW (1/5 W)

상품 유형:

RF 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

2SC3585-T1B-A

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

NE68033-T1B, NE68033-T, NE68033, NE6803, NE680, NE68, NE6