RGT30TM65DGC9

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

Y

기술:

시

패키지/케이스:

TO-220-3

장착 스타일:

구멍을 통해

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

650 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.65 V

최대 게이트 이미터 전압:

30 V

25C에서 연속 수집기 전류:

14 A

Pd - 전력 손실:

32 W

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

포장:

튜브

상표:

로옴 반도체

게이트-이미터 누설 전류:

200 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

IGBT

부품 번호 별칭:

RGT30TM65D

Tags

RGT3, RGT