SIE850DF-T1-E3

SIE850DF-T1-E3
Mfr. #:
SIE850DF-T1-E3
제조사:
Vishay / Siliconix
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SIE850DF-T1-E3 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
SIE850DF-T1-E3 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 / 실리콘닉스
제품 카테고리
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
포장
부분 별칭
SIE850DF-E3
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
PolarPAK-10
기술
채널 수
1 Channel
구성
하나의
트랜지스터형
1 N-Channel
Pd 전력 손실
5.2 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 50 C
Vgs 게이트 소스 전압
12 V
Id-연속-드레인-전류
35 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
2.5 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
채널 모드
상승
Tags
SIE85, SIE8, SIE
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
N-Channel PolarPAK® Power MOSFETs
Vishay Siliconix 20V to 75V PolarPAK® Power MOSFETs combine the thermal benefits of a double-sided cooling package with on-resistance down to as low as 1.4mΩ. The double-sided cooling provided by these Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs gives designers a way to reduce system size and cost through better MOSFET thermal performance. These Vishay Siliconix PolarPAK® MOSFETs share the same footprint area as the standard SO-8 yet are twice as thin with a height profile of just 0.8 mm.
부분 # 제조 설명 재고 가격
SIE850DF-T1-E3
DISTI # 781-SIE850DF-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7500
영상 부분 # 설명
SIE850DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
유효성
재고:
Available
주문 시:
3000
수량 입력:
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참고 가격(USD)
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단가
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1
US$2.61
US$2.61
10
US$2.48
US$24.79
100
US$2.35
US$234.90
500
US$2.22
US$1 109.25
1000
US$2.09
US$2 088.00
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