NVMTS0D6N04CLTXG

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PQFN-88-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

554.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

420 uOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

126 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

245.4 W

구성:

단일 트리플 소스 쿼드 드레인

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel Power MOSFET

상표:

온세미컨덕터

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

323 S

가을 시간:

84.7 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

111 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

180 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

89.4 ns

Tags

NVMTS0D, NVMT, NVM