IXFX80N60P3

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

80 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

70 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

190 nC

Pd - 전력 손실:

1.3 kW

구성:

하나의

상표명:

HiPerFET

포장:

튜브

시리즈:

IXFX80N60

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

90 S, 55 S

가을 시간:

8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

25 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

IXFX80, IXFX8, IXFX, IXF