SSTA56T116

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

트랜지스터 극성:

PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

80 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

80 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

4 V

최대 DC 수집기 전류:

0.5 A

이득 대역폭 곱 fT:

50 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

SSTA56

DC 전류 이득 hFE 최대:

100 at 10 mA, 1 V

키:

0.95 mm

길이:

2.9 mm

포장:

릴

너비:

1.3 mm

상표:

로옴 반도체

Pd - 전력 손실:

350 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

SSTA56

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

SSTA56T, SSTA5, SSTA, SST