ALD1102BPAL

제품 속성

속성 값

제조사:

고급 선형 장치

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

PDIP-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

12 V

Id - 연속 드레인 전류:

16 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

180 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

400 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10.6 V

최소 작동 온도:

0 C

최대 작동 온도:

+ 70 C

Pd - 전력 손실:

500 mW

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

튜브

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

ALD1102B

트랜지스터 유형:

2 P-Channel

유형:

MOSFET

상표:

고급 선형 장치

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

단위 무게:

0.032805 oz

Tags

ALD1102, ALD110, ALD11, ALD1, ALD