NP109N04PUG-E1-AY

제품 속성

속성 값

제조사:

르네사스 전자

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

110 A

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.8 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

제품:

MOSFET 소신호

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

르네사스 전자

가을 시간:

35 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

35 ns

공장 팩 수량:

800

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

90 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

47 ns

단위 무게:

0.077603 oz

Tags

NP109N04PUG-E, NP109N04PUG, NP109N04, NP109, NP10, NP1