SIZ980DT-T1-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PowerPAIR-6x5-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

20 A, 60 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V, 1.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 16 V, 20 V

Qg - 게이트 차지:

18 nC, 77 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

20 W, 66 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

키:

0.75 mm

길이:

6 mm

시리즈:

사이즈

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

5 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

80 S, 155 S

가을 시간:

10 ns, 10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

65 ns, 75 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

10 ns, 30 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

15 ns, 35 ns

Tags

SIZ9, SiZ