TC58BYG0S3HBAI4

Mfr. #:: TC58BYG0S3HBAI4
제조사:: Toshiba Memory
설명:: NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TC58BYG0S3HBAI4 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 낸드 플래시

RoHS:: Y

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: TFBGA-63

메모리 크기:: 1 Gbit

인터페이스 유형:: 평행 한

조직:: 128 M x 8

타이밍 유형:: 동기

데이터 버스 폭:: 8 bit

공급 전압 - 최소:: 1.7 V

공급 전압 - 최대:: 1.95 V

공급 전류 - 최대:: 30 mA

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

포장:: 쟁반

메모리 유형:: 낸드

제품:: 낸드 플래시

속도:: 25 ns

건축학:: 블록 지우기

상표:: 도시바 메모리

최대 클록 주파수:: -

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: 낸드 플래시

공장 팩 수량:: 210

하위 카테고리:: 메모리 및 데이터 저장

Tags: TC58BYG0S3HBAI4, TC58BYG0S3HB, TC58BYG0S3, TC58BYG0, TC58BY, TC58B, TC58, TC5

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Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
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TC58BYG0S3HBAI4 설명

***et: 1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V

***i-Key: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
TC58BYG0S3HBAI4 DISTI # TC58BYG0S3HBAI4-ND	Toshiba Semiconductor and Storage Products	1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Temporarily Out of Stock	210:$3.0750
TC58BYG0S3HBAI4 DISTI # TC58BYG0S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58BYG0S3HBAI4) RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Americas - 0	210:$2.2900 420:$2.2900 840:$2.1900 1260:$2.1900 2100:$2.0900
TC58BYG0S3HBAI4 DISTI # 757-TC58BYG0S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	0	1:$4.2000 10:$3.3800 100:$3.0800 250:$2.7800 500:$2.5000 1000:$2.1000 2500:$2.0000

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	Mfr.#: TH58NVG3S0HTAI0 OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTAI0	NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
	Mfr.#: MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR OMO.#: OMO-MT29F128G08CFABBWP-12IT-B-TR	NAND Flash MLC 128G 16GX8 TSOP DDP
	Mfr.#: MT29F16G08CBACAWP:C TR OMO.#: OMO-MT29F16G08CBACAWP-C-TR	NAND Flash MLC 16G 2GX8 TSOP
	Mfr.#: MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR OMO.#: OMO-MT28FW02GBBA1HPC-0AAT-TR	NOR Flash PARALLEL NOR SLC 128MX16 LBGA DDP
	Mfr.#: S29AL016J70TFI010 OMO.#: OMO-S29AL016J70TFI010	NOR Flash 16Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
	Mfr.#: S29AL008J70BFI020 OMO.#: OMO-S29AL008J70BFI020	NOR Flash 8Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
	Mfr.#: TH58NVG3S0HTAI0 OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	EEPROM 3.3V, 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
	Mfr.#: S29AL008J70BFI020 OMO.#: OMO-S29AL008J70BFI020-CYPRESS-SEMICONDUCTOR	IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA AL-J
	Mfr.#: S29AL016J70TFI010 OMO.#: OMO-S29AL016J70TFI010-CYPRESS-SEMICONDUCTOR	IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
	Mfr.#: MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR OMO.#: OMO-MT28FW02GBBA1HPC-0AAT-TR-MICRON-TECHNOLOGY	IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA Automotive, AEC-Q100