SCT2H12NZGC11

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

SiC

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-3PFM-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1700 V

Id - 연속 드레인 전류:

3.7 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.15 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.6 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 6 V, 22 V

Qg - 게이트 차지:

14 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

35 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

제품:

파워 MOSFET

시리즈:

SCT2x

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

N-채널 SiC 전력 MOSFET

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

0.4 s

가을 시간:

74 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

21 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

35 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

16 ns

부품 번호 별칭:

SCT2H12NZ

단위 무게:

0.402300 oz

Tags

SCT2H, SCT2, SCT