SIZ700DT-T1-GE3

Mfr. #:: SIZ700DT-T1-GE3
제조사:: Vishay
설명:: RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: SIZ700DT-T1-GE3 데이터 시트
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ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사: 비쉐이 실리콘

제품 카테고리: FET - 어레이

시리즈: 트렌치FETR

포장: 테이프 및 릴(TR)

부분 별칭: SIZ700DT-GE3

장착 스타일: SMD/SMT

패키지 케이스: 6-PowerPair

기술: 시

작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)

장착형: 표면 실장

채널 수: 2 Channel

공급자-장치-패키지: 6-PowerPair

구성: 듀얼

FET형: 2 N-Channel (Half Bridge)

파워맥스: 2.36W, 2.8W

트랜지스터형: 2 N-Channel

드레인-소스 전압 Vdss: 20V

입력-커패시턴스-Ciss-Vds: 1300pF @ 10V

FET 기능: 기준

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 16A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 8.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 2.2V @ 250μA

Gate-Charge-Qg-Vgs: 35nC @ 10V

Pd 전력 손실: 2.36 W 2.8 W

최대 작동 온도: + 150 C

최소 작동 온도: - 55 C

가을철: 8 ns 10 ns

상승 시간: 9 ns 8 ns

Vgs 게이트 소스 전압: 16 V

Id-연속-드레인-전류: 16 A

Vds-드레인-소스-고장-전압: 20 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 7 mOhms 4.7 mOhms

트랜지스터 극성: N-채널

일반 꺼짐 지연 시간: 25 ns 47 ns

일반 켜기 지연 시간: 8 ns 12 ns

순방향 트랜스컨덕턴스-최소: 60 S 100 S

채널 모드: 상승

Tags: SIZ700DT-T, SIZ700DT, SIZ700D, SIZ700, SIZ70, SIZ7, SiZ

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SIZ700DT-T1-GE3 설명

***et Europe: Trans MOSFET N-CH 20V 13.1A/17.3A 6-Pin PowerPAIR T/R

***i-Key: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

***ment14 APAC: MOSFET, NN-CH, 20V, 16A, POWERPAIR8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAIR; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:16A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):7mohm; Power Dissipation Pd:2.8W; Voltage Vgs Max:16V

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # SIZ700DT-T1-GE3-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call	3000:$0.6622
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # 15R4897	Vishay Intertechnologies	MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 16A, POWERPAIR, FULL REEL,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:16A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.007ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:6Pins , RoHS Compliant: Yes	0	1:$0.6370 3000:$0.6330 6000:$0.6020 12000:$0.5340
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # 83T3535	Vishay Intertechnologies	MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 16A, POWERPAIR,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:16A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.007ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:800mV, RoHS Compliant: Yes	0	1:$1.6200 25:$1.5300 50:$1.3900 100:$1.2500 250:$1.1300 500:$0.9510 1000:$0.8410
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # 781-SIZ700DT-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V RoHS: Compliant	0
SIZ700DT-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V	Americas -

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영상	부분 #	설명
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	Mfr.#: SIZ700DT OMO.#: OMO-SIZ700DT-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: SIZ700DT-T1 OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: SIZ700DT-T1-E3 OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-E3-1190	신규 및 오리지널

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500: ~~US$0.70~~; ~~US$351.20~~

1000: ~~US$0.66~~; ~~US$661.10~~

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