FMM110-015X2F

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

ISOPLUS-i4-PAK-5

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

150 V

Id - 연속 드레인 전류:

53 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

20 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

150 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

180 W

구성:

듀얼

상표명:

TrenchT2

포장:

튜브

키:

21.34 mm

길이:

20.29 mm

시리즈:

FMM110-015X2F

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

유형:

TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

너비:

5.21 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

75 S

가을 시간:

18 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

16 ns

공장 팩 수량:

25

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

33 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

33 ns

단위 무게:

0.229281 oz

Tags

FMM11, FMM1, FMM