SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4670DY-T1-GE3
제조사:
Vishay
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-ChW/ Schottky 25V 23mohms @ 10V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI4670DY-T1-GE3 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
SI4670DY-T1-GE3 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 실리콘
제품 카테고리
FET - 어레이
시리즈
트렌치FETR
포장
Digi-ReelR 대체 패키징
부분 별칭
SI4670DY-GE3
단위 무게
0.006596 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착형
표면 실장
채널 수
2 Channel
공급자-장치-패키지
8-SO
구성
쇼트키 다이오드가 있는 듀얼
FET형
2 N-Channel (Dual)
파워맥스
2.8W
트랜지스터형
2 N-Channel
드레인-소스 전압 Vdss
25V
입력-커패시턴스-Ciss-Vds
680pF @ 13V
FET 기능
로직 레벨 게이트
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Pd 전력 손실
1.8 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
50 ns
상승 시간
50 ns
Vgs 게이트 소스 전압
16 V
Id-연속-드레인-전류
7 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
25 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
23 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
일반 꺼짐 지연 시간
20 ns
일반 켜기 지연 시간
15 ns
채널 모드
상승
Tags
SI4670DY-T, SI4670D, SI4670, SI467, SI46, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation, Pd:1.8W ;RoHS Compliant: Yes
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI4670DY-T1-GE3
DISTI # SI4670DY-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.5236
SI4670DY-T1-GE3
DISTI # SI4670DY-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4670DY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$0.4939
  • 5000:$0.4799
  • 10000:$0.4599
  • 15000:$0.4469
  • 25000:$0.4349
SI4670DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4670DY-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
RoHS: Compliant
0
  • 2500:$0.4760
  • 5000:$0.4530
  • 10000:$0.4360
영상 부분 # 설명
SI4670DY-T1-E3

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
SI4670DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4670DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
SI4670DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4670DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-ChW/ Schottky 25V 23mohms @ 10V
SI4670DY-T1-E3

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
SI4670DY

Mfr.#: SI4670DY

OMO.#: OMO-SI4670DY-1190

신규 및 오리지널
SI4670DY-T1-E3-S

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3-S

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3-S-1190

신규 및 오리지널
SI4670DY-T1-E3..

Mfr.#: SI4670DY-T1-E3..

OMO.#: OMO-SI4670DY-T1-E3--1190

신규 및 오리지널
유효성
재고:
Available
주문 시:
5500
수량 입력:
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참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$0.65
US$0.65
10
US$0.62
US$6.20
100
US$0.59
US$58.71
500
US$0.55
US$277.25
1000
US$0.52
US$521.90
2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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