RV2C001ZPT2L

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

DFN1006-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

100 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.5 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Pd - 전력 손실:

100 mW

구성:

하나의

포장:

릴

키:

0.4 mm

길이:

1 mm

시리즈:

RV2C001ZP

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

너비:

0.6 mm

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

120 mS

가을 시간:

137 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

62 ns

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

325 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

46 ns

부품 번호 별칭:

RV2C001ZP

Tags

RV2C001Z, RV2C001, RV2C00, RV2C0, RV2C, RV2