BSB008NE2LXXUMA1

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

WDSON-2-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

25 V

Id - 연속 드레인 전류:

180 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

600 uOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

343 nC

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

89 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

상표명:

옵티모스

포장:

릴

키:

0.7 mm

길이:

6.35 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

5.05 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

120 S

가을 시간:

32.4 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

47.2 ns

공장 팩 수량:

5000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

75 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12.6 ns

부품 번호 별칭:

BSB8NE2LXXT SP000880866

Tags

BSB00, BSB0, BSB