IXTP4N70X2M

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

X2-Class

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

구성:

하나의

상표:

익시스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

28 ns

Id - 연속 드레인 전류:

4 A

Pd - 전력 손실:

30 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

850 mOhms

상승 시간:

27 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

HiPerFET

일반적인 끄기 지연 시간:

66 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

20 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

700 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Tags

IXTP4N, IXTP4, IXTP, IXT