PMDT290UCEH

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-666-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

800 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

380 mOhms, 850 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

0.5 V, - 1.3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

8 V

Qg - 게이트 차지:

0.68 nC, 1.14 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1090 mW

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

상표:

넥스페리아

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

1.6 S, 610 mS

가을 시간:

31 ns, 72 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

4 ns, 30 ns

공장 팩 수량:

4000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

86 ns, 80 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

6 ns, 18 ns

Tags

PMDT290UCE, PMDT290UC, PMDT2, PMDT, PMD