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RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9
Mfr. #:
RGT8NS65DGC9
제조사:
Rohm Semiconductor
설명:
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
RGT8NS65DGC9 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
RGT8NS65DGC9 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사:
로옴 반도체
제품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
RoHS:
Y
기술:
시
패키지/케이스:
TO-262-3
장착 스타일:
구멍을 통해
구성:
하나의
컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:
650 V
수집기-이미터 포화 전압:
1.65 V
최대 게이트 이미터 전압:
30 V
25C에서 연속 수집기 전류:
8 A
Pd - 전력 손실:
65 W
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 175 C
포장:
튜브
상표:
로옴 반도체
게이트-이미터 누설 전류:
200 nA
상품 유형:
IGBT 트랜지스터
공장 팩 수량:
50
하위 카테고리:
IGBT
부품 번호 별칭:
RGT8NS65D(TO-262)
Tags
RGT8N, RGT8, RGT
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW Tube
***
IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
***ark
Igbt, 650V, 8A, 175Deg C, 65W; Dc Collector Current:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:65W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:to-262; No. Of Pins:3Pins; Operatingrohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, 650V, 8A, 175DEG C, 65W; DC Collector Current:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:65W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
***nell
IGBT, 650V, 8A, 175°C, 65W; Corrente di Collettore CC:8A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on):1.65V; Dissipazione di Potenza Pd:65W; Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo:650V; Modello Case Transistor:TO-262; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (15-Jan-2019)
Field Stop Trench IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy saving high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit withstand time, and built-in very fast & soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioner, welder, and general inverters for industrial use.
영상 부분 # 설명
RGT8NS65DGC9

Mfr.#: RGT8NS65DGC9

OMO.#: OMO-RGT8NS65DGC9

 IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT8NS65DGTL

Mfr.#: RGT8NS65DGTL

OMO.#: OMO-RGT8NS65DGTL

 IGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench
RGT8NS65DGTL

Mfr.#: RGT8NS65DGTL

OMO.#: OMO-RGT8NS65DGTL-ROHM-SEMI

 IGBT Transistors 650V 4A Field Stop Trench IGBT
유효성
재고:
Available
주문 시:
1984
수량 입력:
RGT8NS65DGC9의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$1.72
US$1.72
10
US$1.47
US$14.70
100
US$1.17
US$117.00
500
US$1.02
US$510.00
1000
US$0.85
US$852.00
2500
US$0.79
US$1 982.50
5000
US$0.76
US$3 820.00
10000
US$0.74
US$7 350.00
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