DMN6075S-13

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-23-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

120 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

12.3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.15 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

1 mm

길이:

3 mm

제품:

향상 모드 MOSFET

시리즈:

DMN60

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

향상 모드 MOSFET

너비:

1.4 mm

상표:

다이오드 주식회사

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

-

가을 시간:

11 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

4.1 ns

공장 팩 수량:

10000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

35 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

3.5 ns

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

DMN6075, DMN607, DMN60, DMN6, DMN