QSZ3TR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

트랜지스터 극성:

NPN, PNP

구성:

듀얼

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

12 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

15 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

최대 DC 수집기 전류:

3 A

이득 대역폭 곱 fT:

280 MHz

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

270 at 500 mA, 2 V

키:

0.85 mm

길이:

2.9 mm

포장:

릴

너비:

1.6 mm

상표:

로옴 반도체

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

270 at 500 mA, 2 V

Pd - 전력 손실:

1250 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

QSZ3

Tags

QSZ3, QSZ