NJVMJD50T4G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

DPAK-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

400 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

500 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

수집기-이미터 포화 전압:

1 V

최대 DC 수집기 전류:

2 A

이득 대역폭 곱 fT:

10 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

MJD50

DC 전류 이득 hFE 최대:

150 at 300 mA, 10 V

포장:

릴

상표:

온세미컨덕터

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

25 at 200 mA, 10 V

Pd - 전력 손실:

15 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

자격:

AEC-Q101

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

NJVMJD, NJVM, NJV