NESG270034-T1-AZ

제품 속성

속성 값

제조사:

셀

제품 카테고리:

RF 양극성 트랜지스터

RoHS:

E

트랜지스터 유형:

양극성

기술:

시게

트랜지스터 극성:

NPN

이미터-베이스 전압 VEBO:

2.8 V

지속적인 수집가 전류:

0.75 A

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

구성:

하나의

패키지/케이스:

파워 미니 금형

포장:

릴

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

25 V

DC 전류 이득 hFE 최대:

80 at 100 mA at 3 V

키:

1.5 mm

길이:

4.5 mm

동작 주파수:

900 MHz

유형:

RF 실리콘 게르마늄

너비:

2.5 mm

상표:

셀

Pd - 전력 손실:

1900 mW

상품 유형:

RF 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

NESG270034-T1-A, NESG270034-T, NESG27, NESG2, NESG, NES