QS5K2TR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-25T-5

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

2 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

100 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

500 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

2.8 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.25 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.85 mm

길이:

2.9 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

QS5K2

트랜지스터 유형:

2 N-Channel MOSFET

유형:

MOSFET

너비:

1.6 mm

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

21 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

8 ns

부품 번호 별칭:

QS5K2

Tags

QS5K, QS5