SI8281BD-ISR

제품 속성

속성 값

제조사:

실리콘 연구소

제품 카테고리:

게이트 드라이버

RoHS:

Y

제품:

절연 게이트 드라이버

유형:

하이 사이드, 로우 사이드

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-20

드라이버 수:

1 Driver

출력 수:

1 Output

출력 전류:

84 mA

상승 시간:

5.5 ns

가을 시간:

8.5 ns

공급 전압 - 최소:

2.8 V

공급 전압 - 최대:

5.5 V

전파 지연 - 최대:

50 ns

작동 공급 전류:

10.5 mA

Pd - 전력 손실:

100 mW

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

시리즈:

Si8281

포장:

릴

출력 전압:

30 V

기술:

시

상표:

실리콘 연구소

논리 유형:

CMOS

상품 유형:

게이트 드라이버

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.48 Ohms

공장 팩 수량:

1250

하위 카테고리:

PMIC - 전원 관리 IC

Tags

SI8281B, SI8281, SI828, SI82, SI8