STQ2LN60K3-AP

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

600 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

4.5 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

12 nC

Pd - 전력 손실:

2.5 W

채널 모드:

상승

상표명:

MD메쉬

포장:

탄약 팩

시리즈:

STQ2LN60K3-AP

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

가을 시간:

21 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

8.5 ns

공장 팩 수량:

2000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

23.5 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

단위 무게:

0.007760 oz

Tags

STQ2, STQ