MRF5S19130HSR3

제품 속성

속성 값

제조사:

NXP

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

65 V

얻다:

13 dB

출력 파워:

26 W

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

NI-880S-3

포장:

릴

구성:

하나의

키:

5.08 mm

길이:

23.24 mm

동작 주파수:

1.9 GHz to 2 GHz

유형:

RF 전력 MOSFET

너비:

13.8 mm

상표:

NXP / 프리스케일

채널 모드:

상승

Pd - 전력 손실:

438 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.5 V

단위 무게:

0.238367 oz

Tags

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