SI4599DY-T1-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

5.8 A, 6.8 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

35.5 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V, 1.4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

11.7 nC, 25 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3 W, 3.1 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

키:

1.75 mm

길이:

4.9 mm

시리즈:

SI4

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

너비:

3.9 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

14 S, 22 S

가을 시간:

9 ns, 9 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10 ns, 12 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

15 ns, 30 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7 ns, 7 ns

부품 번호 별칭:

SI4599DY-GE3

단위 무게:

0.019048 oz

Tags

SI4599, SI459, SI45, SI4