CSD87588NT

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PTAB-5

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

25 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

10.4 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.9 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

3.2 nC, 13.7 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

6 W

구성:

듀얼

상표명:

넥스펫

포장:

릴

키:

0.48 mm

길이:

5 mm

시리즈:

CSD87588N

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

유형:

동기식 벅 NexFET 전력단

너비:

2.5 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

43 S, 93 S

가을 시간:

5 ns, 6.3 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

31.6 ns, 36.7 ns

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

10.2 ns, 20.1 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7.3 ns, 12.1 ns

Tags

CSD8758, CSD875, CSD87, CSD8, CSD