IXFN20N120P

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

섀시 마운트

패키지/케이스:

SOT-227-4

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1.2 kV

Id - 연속 드레인 전류:

20 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

570 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

6.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

193 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

595 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

HiPerFET

포장:

튜브

키:

12.22 mm

길이:

38.23 mm

시리즈:

IXFN20N120

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

극성 전력 MOSFET HiPerFET

너비:

25.42 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

10 S

가을 시간:

70 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

45 ns

공장 팩 수량:

10

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

72 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

49 ns

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

IXFN20, IXFN2, IXFN, IXF