US6M1TR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-363T-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

1.4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

170 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

1.4 nC, 2.1 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.77 mm

길이:

2 mm

시리즈:

US6M1

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

유형:

MOSFET

너비:

1.7 mm

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

1 S, 0.7 S

가을 시간:

8 nS, 10 nS

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

6 nS, 8 nS

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

13 nS, 25 nS

일반적인 켜기 지연 시간:

6 nS, 9 nS

부품 번호 별칭:

US6M1

단위 무게:

0.000265 oz

Tags

US6M1T, US6M1, US6M, US6