APTMC120HR11CT3AG

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

위상 다리

Vf - 순방향 전압:

1.5 V, 1.6 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 10 V, 25 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SP3F-32

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

포장:

튜브

구성:

쿼드

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

가을 시간:

18 ns, 40 ns

Id - 연속 드레인 전류:

26 A, 37 A

Pd - 전력 손실:

125 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

80 mOhms

상승 시간:

14 ns, 45 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

23 ns, 200 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns, 110 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1200 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.4 V, 5 V

단위 무게:

3.880136 oz

Tags

APTMC120HR, APTMC120H, APTMC12, APTMC1, APTMC, APTM, APT