STGWT60H65DFB

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

Y

기술:

시

패키지/케이스:

TO-3P

장착 스타일:

구멍을 통해

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

650 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.6 V

최대 게이트 이미터 전압:

20 V

25C에서 연속 수집기 전류:

80 A

Pd - 전력 손실:

375 W

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

시리즈:

STGWT60H65DFB

포장:

튜브

연속 수집가 현재 IC 최대:

60 A

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

게이트-이미터 누설 전류:

250 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

300

하위 카테고리:

IGBT

단위 무게:

0.238311 oz

Tags

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