PSMN1R0-30YLDX

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

LFPAK56-5

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

300 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.02 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

80.9 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

238 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

넥스페리아

가을 시간:

31.7 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

44.4 ns

공장 팩 수량:

1500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

43 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

32.4 ns

단위 무게:

0.003016 oz

Tags

PSMN1R0-3, PSMN1R0, PSMN1R, PSMN1, PSMN, PSM