IXTY01N100D-TRL

IXTY01N100D-TRL
Mfr. #:
IXTY01N100D-TRL
제조사:
Littelfuse
설명:
Discrete Semiconductor Modules High Voltage Power MOSFET
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IXTY01N100D-TRL 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
익시스
제품 카테고리:
이산 반도체 모듈
RoHS:
Y
제품:
전력 MOSFET 모듈
유형:
높은 전압
Vgs - 게이트 소스 전압:
20 V
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
TO-252-3
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
포장:
구성:
하나의
상표:
익시스
트랜지스터 극성:
N-채널
가을 시간:
64 ns
Id - 연속 드레인 전류:
400 mA
Pd - 전력 손실:
25 W
상품 유형:
이산 반도체 모듈
Rds On - 드레인 소스 저항:
80 Ohms
상승 시간:
10 ns
공장 팩 수량:
2500
하위 카테고리:
이산 반도체 모듈
일반적인 끄기 지연 시간:
34 ns
일반적인 켜기 지연 시간:
7 ns
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
1000 V
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
- 4.5 V
Tags
IXTY01N100D, IXTY01N100, IXTY01N1, IXTY01, IXTY0, IXTY, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
영상 부분 # 설명
IXTY01N100D-TRL

Mfr.#: IXTY01N100D-TRL

OMO.#: OMO-IXTY01N100D-TRL

Discrete Semiconductor Modules High Voltage Power MOSFET
IXTY01N100

Mfr.#: IXTY01N100

OMO.#: OMO-IXTY01N100

MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
IXTY01N80

Mfr.#: IXTY01N80

OMO.#: OMO-IXTY01N80

MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
IXTY01N10

Mfr.#: IXTY01N10

OMO.#: OMO-IXTY01N10-1190

신규 및 오리지널
IXTY01N100D

Mfr.#: IXTY01N100D

OMO.#: OMO-IXTY01N100D-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
IXTY01N100DTRL

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IXTY01N100D TR

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MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
유효성
재고:
Available
주문 시:
3500
수량 입력:
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