SI4804BDY-T1-E3

Mfr. #:: SI4804BDY-T1-E3
제조사:: Vishay
설명:: IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: SI4804BDY-T1-E3 데이터 시트
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HTML Datasheet:: SI4804BDY-T1-E3 Datasheet SI4804BDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사: 비쉐이 실리콘

제품 카테고리: FET - 어레이

시리즈: 트렌치FETR

포장: 디지릴R

부분 별칭: SI4804BDY-E3

단위 무게: 0.006596 oz

장착 스타일: SMD/SMT

패키지 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

기술: 시

작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)

장착형: 표면 실장

채널 수: 2 Channel

공급자-장치-패키지: 8-SO

구성: 듀얼

FET형: 2 N-Channel (Dual)

파워맥스: 1.1W

트랜지스터형: 2 N-Channel

드레인-소스 전압 Vdss: 30V

입력-커패시턴스-Ciss-Vds: -

FET 기능: 로직 레벨 게이트

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 5.7A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 3V @ 250μA

Gate-Charge-Qg-Vgs: 11nC @ 4.5V

Pd 전력 손실: 1.1 W

최대 작동 온도: + 150 C

최소 작동 온도: - 55 C

가을철: 10 ns

상승 시간: 10 ns

Vgs 게이트 소스 전압: 20 V

Id-연속-드레인-전류: 5.7 A

Vds-드레인-소스-고장-전압: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 22 mOhms

트랜지스터 극성: N-채널

일반 꺼짐 지연 시간: 19 ns

일반 켜기 지연 시간: 9 ns

채널 모드: 상승

Tags: SI4804BDY-T1-E, SI4804BDY-T, SI4804BDY, SI4804BD, SI4804B, SI4804, SI480, SI48, SI4

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SI4804BDY-T1-E3 설명

***th Star Micro: Transistor MOSFET N-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R

***ark: MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:7.5A; On Resistance, Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes

***nell: MOSFET, NN, REEL 2500; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; N-channel Gate Charge:7nC; No. of Pins:8; Power, Pd:1.1W; Quantity, Reel:2500; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V N Channel:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Width, Tape:12mm

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 2500 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # SI4804BDY-T1-E3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
SI4804BDY-T1-E3 DISTI # 781-SI4804BDY-E3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS: Compliant	0
SI4804BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	5700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	1960	511:$0.3500 90:$0.3920 1:$1.1200
SI4804BDY-T1-E3	Vishay Siliconix		1344
SI4804BDYT1E3	Vishay Semiconductors	INSTOCK	1436

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	Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 GE3 OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-GE3-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3. OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3--1190	신규 및 오리지널
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100: ~~US$0.47~~; ~~US$47.25~~

500: ~~US$0.45~~; ~~US$223.15~~

1000: ~~US$0.42~~; ~~US$420.00~~

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SI4804BDY-T1-E3

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