TPS1100DR

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

15 V

Id - 연속 드레인 전류:

1.6 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

400 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

2 V, - 15 V

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

Pd - 전력 손실:

791 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

1.75 mm

길이:

4.9 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

TPS1100

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

유형:

PMOS 스위치

너비:

3.9 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

가을 시간:

10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

13 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4.5 ns

단위 무게:

0.002677 oz

Tags

TPS1100D, TPS1100, TPS110, TPS11, TPS1, TPS