2N6316

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-66-2

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

80 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

80 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

수집기-이미터 포화 전압:

2 V

최대 DC 수집기 전류:

15 A

이득 대역폭 곱 fT:

4 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 200 C

시리즈:

2N6316

DC 전류 이득 hFE 최대:

100 at 2.5 A, 4 V

포장:

튜브

상표:

중앙반도체

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

20 at 500 mA, 4 V

Pd - 전력 손실:

90 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

2N6316 PBFREE

단위 무게:

0.206000 oz

Tags

2N631, 2N63, 2N6