TC58NYG1S3EBAI5

Mfr. #:: TC58NYG1S3EBAI5
제조사:: Toshiba Memory
설명:: NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TC58NYG1S3EBAI5 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 낸드 플래시

RoHS:: Y

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: TFBGA-63

메모리 크기:: 2 Gbit

인터페이스 유형:: 평행 한

조직:: 256 M x 8

타이밍 유형:: 동기

데이터 버스 폭:: 8 bit

공급 전압 - 최소:: 1.7 V

공급 전압 - 최대:: 1.95 V

공급 전류 - 최대:: 30 mA

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

포장:: 쟁반

메모리 유형:: 낸드

제품:: 낸드 플래시

속도:: 25 ns

건축학:: 블록 지우기

상표:: 도시바 메모리

최대 클록 주파수:: -

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: 낸드 플래시

공장 팩 수량:: 180

하위 카테고리:: 메모리 및 데이터 저장

Tags: TC58NYG1S3, TC58NYG1, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5

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Packaging Boxes

TC58NYG1S3EBAI5 설명

***et: SLC NAND Flash Serial 1.8V 2Gbit 256M x 8bit 63-Pin TFBGA

***ical: SLC NAND Flash Serial 1.8V 2G-bit 256M x 8 63-Pin TFBGA

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
TC58NYG1S3EBAI5 DISTI # TC58NYG1S3EBAI5	Toshiba America Electronic Components	SLC NAND Flash Serial 1.8V 2Gbit 256M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG1S3EBAI5) RoHS: Compliant Min Qty: 180 Container: Tray	Americas - 0
TC58NYG1S3EBAI5 DISTI # 757-TC58NYG1S3EBAI5	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	0

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