RUF025N02TL

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-323T-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

39 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

5 nC

Pd - 전력 손실:

800 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.77 mm

길이:

2 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

RUF025N02

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

1.7 mm

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

3.6 S

가을 시간:

15 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

35 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7 ns

부품 번호 별칭:

RUF025N02

단위 무게:

0.116968 oz

Tags

RUF025N02T, RUF025, RUF02, RUF0, RUF