APTGV50H60T3G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

IGBT 모듈

RoHS:

Y

제품:

IGBT 실리콘 모듈

구성:

풀 브리지

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

600 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.5 V, 2 V

25C에서 연속 수집기 전류:

80 A, 65 A

게이트-이미터 누설 전류:

600 nA, 400 nA

Pd - 전력 손실:

176 W, 250 W

패키지/케이스:

SP3-32

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 100 C

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

장착 스타일:

섀시 마운트

최대 게이트 이미터 전압:

20 V

상품 유형:

IGBT 모듈

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

IGBT

Tags

APTGV5, APTGV, APTG, APT