TGF2934

Mfr. #:: TGF2934
제조사:: Qorvo
설명:: RF JFET Transistors DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TGF2934 데이터 시트
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추가 정보:: TGF2934 추가 정보

제품 속성
속성 값

제조사:: 코르보

제품 카테고리:: RF JFET 트랜지스터

RoHS:: Y

트랜지스터 유형:: 헴트

기술:: GaN SiC

얻다:: 20 dB

트랜지스터 극성:: N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:: 50 V

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:: 145 V

Id - 연속 드레인 전류:: 2.5 A

출력 파워:: 70 W

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

Pd - 전력 손실:: 64 W

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: NI-360

포장:: 쟁반

구성:: 하나의

동작 주파수:: 3.7 GHz

작동 온도 범위:: - 40 C to + 85 C

시리즈:: QPD

상표:: 코르보

개발 키트:: QPD1015PCB401

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: RF JFET 트랜지스터

공장 팩 수량:: 25

하위 카테고리:: 트랜지스터

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:: - 2.8 V

Tags: TGF293, TGF29, TGF2, TGF

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Step1:
Vacuum Packaging with PL

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Packaging Boxes

TGF2934 설명

***W: RF Power Transistor, DC to 25 GHz, 14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X.10, DIE

TGF2934 추가 정보

QPD GaN RF Transistors: Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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