BFT25A,215

제품 속성

속성 값

제조사:

NXP

제품 카테고리:

RF 양극성 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

양극성

기술:

시

트랜지스터 극성:

NPN

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

50

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

5 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

2 V

지속적인 수집가 전류:

6.5 mA

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

구성:

하나의

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-23

포장:

릴

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

8 V

DC 전류 이득 hFE 최대:

50

키:

1 mm

길이:

3 mm

동작 주파수:

5000 MHz

유형:

RF 바이폴라 소신호

너비:

1.4 mm

상표:

NXP반도체

이득 대역폭 곱 fT:

5000 MHz

최대 DC 수집기 전류:

0.0065 A

Pd - 전력 손실:

32 mW

상품 유형:

RF 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

934008580215

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

BFT25A, BFT25, BFT2, BFT