IXFB170N30P

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

PLUS-264-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

300 V

Id - 연속 드레인 전류:

170 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

18 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

258 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.25 kW

채널 모드:

상승

상표명:

HiPerFET

포장:

튜브

키:

26.59 mm

길이:

20.29 mm

시리즈:

IXFB170N30

유형:

극성 전력 MOSFET HiPerFET

너비:

5.31 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

57 S

가을 시간:

16 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

29 ns

공장 팩 수량:

25

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

79 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

41 ns

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

IXFB1, IXFB, IXF