DMN30H4D0L-13

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-23-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

300 V

Id - 연속 드레인 전류:

550 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

4 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.7 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

7.6 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

630 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

DMN30

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

다이오드 주식회사

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

-

가을 시간:

17.5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

4.7 ns

공장 팩 수량:

10000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

25.8 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4.9 ns

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

DMN30H4D0, DMN30H4, DMN30H, DMN30, DMN3, DMN