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SI8401DB-T1-E1

SI8401DB-T1-E1
Mfr. #:
SI8401DB-T1-E1
제조사:
Vishay
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI8401DB-T1-E1 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이
제품 카테고리
FET - 단일
포장
릴
부분 별칭
SI8401DB-E1
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
MicroFoot-4
기술
시
채널 수
1 Channel
구성
하나의
트랜지스터형
1 P-Channel
Pd 전력 손실
1.47 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
28 ns
상승 시간
28 ns
Vgs 게이트 소스 전압
12 V
Id-연속-드레인-전류
3.6 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
65 mOhms
트랜지스터 극성
P-채널
일반 꺼짐 지연 시간
88 ns
일반 켜기 지연 시간
17 ns
채널 모드
상승
Tags
SI8401DB-T, SI8401D, SI8401, SI840, SI84, SI8
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single P-Channel 20 V 0.095 Ohm 17 nC 1.47 W Silicon SMT Mosfet - MICRO-FOOT
***et
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R
***i-Key
MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-4900mA; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.4V; Power Dissipation, Pd:1.47W ;RoHS Compliant: Yes
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		2980In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		2980In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.5236
SI8401DB-T1-E1
DISTI # SI8401DB-T1-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R - Tape and Reel (Alt: SI8401DB-T1-E1)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.4939
  • 6000:$0.4799
  • 12000:$0.4599
  • 18000:$0.4469
  • 30000:$0.4349
SI8401DB-T1-E1
DISTI # 781-SI8401DB-T1-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.1900
  • 10:$0.9800
  • 100:$0.7520
  • 500:$0.6470
  • 1000:$0.5100
  • 3000:$0.4760
영상 부분 # 설명
SI8401DB-T1-E3

Mfr.#: SI8401DB-T1-E3

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E3

 MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB-T1-E1

Mfr.#: SI8401DB-T1-E1

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E1

 MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB-T1-E3

Mfr.#: SI8401DB-T1-E3

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB-T1-E1

Mfr.#: SI8401DB-T1-E1

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E1-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
SI8401DB

Mfr.#: SI8401DB

OMO.#: OMO-SI8401DB-1190

 신규 및 오리지널
SI8401DB-T1

Mfr.#: SI8401DB-T1

OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-1190

 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI8401DB-T1-E1
유효성
재고:
Available
주문 시:
3000
수량 입력:
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참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$0.65
US$0.65
10
US$0.62
US$6.20
100
US$0.59
US$58.71
500
US$0.55
US$277.25
1000
US$0.52
US$521.90
2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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