2N5115e3

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

JFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-18-3

트랜지스터 극성:

P-채널

구성:

하나의

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:

30 V

Vgs=0에서 드레인 소스 전류:

- 15 mA to - 60 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

100 Ohms

Pd - 전력 손실:

500 mW

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 200 C

포장:

대부분

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

게이트 소스 차단 전압:

3 V to 6 V

최대 드레인 게이트 전압:

30 V

상품 유형:

JFET

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

2N5115, 2N511, 2N51, 2N5