TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6
Mfr. #:
TH58BYG3S0HBAI6
제조사:
Toshiba Memory
설명:
NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
TH58BYG3S0HBAI6 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
도시바
제품 카테고리:
낸드 플래시
RoHS:
Y
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
FBGA-67
메모리 크기:
8 Gbit
인터페이스 유형:
평행 한
조직:
1 G x 8
타이밍 유형:
동기
데이터 버스 폭:
8 bit
공급 전압 - 최소:
1.7 V
공급 전압 - 최대:
1.95 V
공급 전류 - 최대:
30 mA
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 85 C
포장:
쟁반
메모리 유형:
낸드
제품:
낸드 플래시
속도:
25 ns
상표:
도시바 메모리
습기에 민감한:
상품 유형:
낸드 플래시
공장 팩 수량:
338
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
Tags
TH58BYG3, TH58BY, TH58B, TH58, TH5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
***et
8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V
***i-Key
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
부분 # 제조 설명 재고 가격
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # V99:2348_18843079
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA147
  • 100:$5.8000
  • 50:$6.2310
  • 10:$6.4330
  • 1:$7.0270
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # TH58BYG3S0HBAI6-ND
Toshiba Semiconductor and Storage Products8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Temporarily Out of Stock
  • 338:$8.0750
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba America Electronic Components8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58BYG3S0HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Americas - 0
  • 338:$7.3900
  • 676:$7.2900
  • 1352:$7.0900
  • 2028:$6.9900
  • 3380:$6.7900
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # 757-TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant
310
  • 1:$11.8800
  • 10:$10.6900
  • 25:$9.7400
  • 100:$8.7900
  • 250:$8.0800
  • 500:$7.3700
  • 1000:$6.4200
영상 부분 # 설명
THGAMRT0T43BAIR

Mfr.#: THGAMRT0T43BAIR

OMO.#: OMO-THGAMRT0T43BAIR

eMMC 128GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C
THGBMHT0C8LBAIG

Mfr.#: THGBMHT0C8LBAIG

OMO.#: OMO-THGBMHT0C8LBAIG

eMMC 128GB 15nm eMMC (EEPROM)
TH58NVG5S0FTA20

Mfr.#: TH58NVG5S0FTA20

OMO.#: OMO-TH58NVG5S0FTA20

NAND Flash 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG

NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND
TC58BYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6

NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58BVG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BVG0S3HBAI6

NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NVG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NVG1S3EBAI5

NAND Flash 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
THGAF8G8T23BAIL

Mfr.#: THGAF8G8T23BAIL

OMO.#: OMO-THGAF8G8T23BAIL

Universal Flash Storage (UFS) 32GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
THGAF8T1T83BAIR

Mfr.#: THGAF8T1T83BAIR

OMO.#: OMO-THGAF8T1T83BAIR

Universal Flash Storage (UFS) 256GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

SLC NAND with SPI Interface
유효성
재고:
190
주문 시:
2173
수량 입력:
TH58BYG3S0HBAI6의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$8.40
US$8.40
10
US$7.73
US$77.30
25
US$7.57
US$189.25
50
US$7.55
US$377.50
100
US$6.77
US$677.00
250
US$6.56
US$1 640.00
500
US$6.24
US$3 120.00
1000
US$6.02
US$6 020.00
2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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